11月14日-16日，2022中国半导体封装测试技术和市场年会在江苏南通国际会议中心盛大举行，领航先进封装技术方向，赋能产业协同创新发展。
本次年会吸引了包括政府主管部门、国家科技重大专项专家、相关地方协会、科研院所、全球知名半导体封测产业链上下游企业参加。新拓三维受邀参加并携带自主研发的XTDIC-MICRO三维显微应变测量系统参展，助力半导体封装缺陷和失效全场监测和分析。
电子封装起着装置、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，其封装过程的缺陷和失效是非常复杂的。只有不断探索封装缺陷和失效原因，对封装过程进行全场监测与分析，这样才能精确探究缺陷产生的原因。
新拓三维XTDIC-MICRO非接触式三维显微应变测量系统，作为研究电子封装失效分析的重要测量工具，广泛应用于芯片半导体热膨胀、封装电子板的微变形测试，对芯片半导体热应变进行全场测量，验证计算模型的正确性和准确性，主要分析芯片在热力学环境下可靠性问题。
为半导体芯片封装测试赋能
半导体芯片封装变形，主要由器件自身的热膨胀，或由其相连的焊点对芯片的作用力。热载荷环境下的芯片微应变全场测量，基于显微数字图像相关(XTDIC-Micro)的热应变全场测量技术，可满足半导体封测企业迫切的封测缺陷和失效微应变测量。
在电路板装配重要元器件过程中，元器件引脚部位易产生装配应力和变形。电路板会因引脚产生装配应力、蠕变造成无法工作，元器件引脚可靠性及热效应分析非常重要。普通应变片直接覆盖阶梯下降区域，无法测量引脚部位应变分布变化。
通过引入XTDIC-MICRO显微应变测量系统，测量逆变器电子元器件引脚下材质基底的变形情况，可以系统获取的应变和应变速率变化，判断元器件的热效应变形分布，直接给出缺陷和失效诊断依据，同时收集相关数据，方便调整、优化封测工艺和流程。
元器件热变形测量
电子元器件在使用过程中会出现发热，发热和冷却过程可视为热疲劳过程。不同温度载荷下，元器件展现出不同应变分布特性和位移特性。
采用XTDIC-Micro显微应变测量系统测量PCB板表面变形应变情况，分析其热膨胀系数。通过搭配高低温控箱，XTDIC-MICRO显微系统搭配，采用显微镜，可在-40℃~150℃温度变化下，测量PCB板出现应变集中和失效形式。
PCB板高低温热膨胀测试
芯片结构复杂，各层材料热膨胀系数的差异，会引起热失配现象。芯片断面不同材质温度变化变形及应变测量;采用光学体式显微镜，结合双目立体视觉，实现三维全场变形;分析微观尺度热应变，与理论分析对比，验证芯片材料可靠性。
芯片热翘曲测试
采用数字图像相关的测量技术实现微尺度变形测量，只需进行微纳散斑制作，半导体待测区域表面作防反光处理。然后使用CCD 相机配合显微镜头采集试件受热前后散斑图像，即可对芯片半导体在各种温度环境、各种动态变化中进行全场应变测量。
想用户所想，持续助力半导体产业
近年来，在国家政策的大力支持下，半导体芯片行业迎来了一个黄金发展时期。新拓三维自主研发的XTDIC-MICRO显微应变测量系统，可以满足半导体行业的在各种温度环境下的测试需求，助力用户优化生产工艺，并在材料层面保证芯片半导体满足封测性能需求。
目前，新拓三维已经为许多半导体行业的主要客户提供了服务。未来，新拓三维将始终站在半导体企业的角度，不断研发封装测试测量创新的解决方案，促进国内半导体产业蓬勃发展。
（责任编辑：华康）
